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SCT027W65G3-4AG データシート (PDF) - STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SCT027W65G3-4AG
ダウンロード  SCT027W65G3-4AG ダウンロード
ファイルサイズ   197.44 Kbytes
ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCT027W65G3-4AG Datasheet (PDF)

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SCT027W65G3-4AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SCT027W65G3-4AG
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ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
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部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCT027W65G3-4AG データシート (HTML) - STMicroelectronics


SCT027W65G3-4AG 製品詳細

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




同様の部品番号 - SCT027W65G3-4AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Beijing Yaohuadechang E...		 SCT027H YHDC-SCT027H Datasheet
5Mb / 1P		 0.333V Split core current transformer
logo
STMicroelectronics		 SCT027H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT027H65G3AG Datasheet
374Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an H²PAK-7 package
11-Nov-2022
SCT027TO65G3 STMICROELECTRONICS-SCT027TO65G3 Datasheet
1Mb / 15P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in a TO-LL package
28-Jan-2025
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同様の説明 - SCT027W65G3-4AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTWA90N65G2V-4 STMICROELECTRONICS-SCTWA90N65G2V-4 Datasheet
239Kb / 13P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mΩ typ., 119 A in an HiP247-4 package
25-Nov-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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