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SCT20N120H データシート (PDF) - STMicroelectronics
SCT20N120H Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SCT20N120H
ダウンロード  SCT20N120H ダウンロード
ファイルサイズ   686.12 Kbytes
ページ   16 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H²PAK-2 package

SCT20N120H Datasheet (PDF)

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SCT20N120H Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SCT20N120H
ダウンロード  SCT20N120H Click to download

ファイルサイズ   686.12 Kbytes
ページ   16 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H²PAK-2 package

SCT20N120H データシート (HTML) - STMicroelectronics


SCT20N120H 製品詳細

Features
• Very tight variation of on-resistance vs. temperature
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Solar inverters, UPS
• Motor drives
• High voltage DC-DC converters
• Switch mode power supplies




同様の部品番号 - SCT20N120H

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Inchange Semiconductor ...		 SCT20N120H ISC-SCT20N120H Datasheet
369Kb / 2P		 SiC N-Channel MOSFET
More results


同様の説明 - SCT20N120H

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCT20N120AG STMICROELECTRONICS-SCT20N120AG Datasheet
487Kb / 13P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package
Rev 3 - October 2019
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT020H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT020H120G3AG Datasheet
362Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
SCTH60N120G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH60N120G2-7AG Datasheet
356Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
02-Aug-2021
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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