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NESG210719-T1 データシート (PDF) - Renesas Technology Corp
NESG210719-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 NESG210719-T1
ダウンロード  NESG210719-T1 ダウンロード
ファイルサイズ   124.41 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719-T1 Datasheet (PDF)

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NESG210719-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 NESG210719-T1
ダウンロード  NESG210719-T1 Click to download

ファイルサイズ   124.41 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

NESG210719-T1 データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


NESG210719-T1 製品詳細

FEATURES
• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)




同様の部品番号 - NESG210719-T1

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC		 NESG210719-T1 NEC-NESG210719-T1 Datasheet
114Kb / 3P		 NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
California Eastern Labs		 NESG210719-T1 CEL-NESG210719-T1 Datasheet
1Mb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
NESG210719-T1-A CEL-NESG210719-T1-A Datasheet
1Mb / 9P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
More results


同様の説明 - NESG210719-T1

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC		 NESG2046M33 NEC-NESG2046M33 Datasheet
118Kb / 3P		 NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 NEC-NESG204619 Datasheet
116Kb / 3P		 NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NESG210719 NEC-NESG210719 Datasheet
114Kb / 3P		 NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
California Eastern Labs		 NESG2046M33 CEL-NESG2046M33 Datasheet
292Kb / 4P		 NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 CEL-NESG204619 Datasheet
320Kb / 4P		 NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp		 NESG2021M05 RENESAS-NESG2021M05 Datasheet
159Kb / 14P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
NESG2031M05 RENESAS-NESG2031M05 Datasheet
158Kb / 14P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
NESG3032M14 RENESAS-NESG3032M14 Datasheet
168Kb / 15P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
NESG3033M14 RENESAS-NESG3033M14 Datasheet
176Kb / 16P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
2SC5761 RENESAS-2SC5761 Datasheet
305Kb / 16P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
May 2003
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Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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