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BUT18AF データシート(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
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5 / 12 page ![]() 1999 Jun 11 5 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUT18F; BUT18AF Fig.4 Forward bias SOAR. Mounted without heatsink compound and 30 ±5 N force on centre of package. Tmb <25 °C I - Region of permissible DC operation. II - Permissible extension for repetitive pulse operation. handbook, full pagewidth MGB922 1 10 1102 103 104 II I VCE (V) 10 10−1 102 10−2 10−4 10−3 IC (A) DC ICM max IC max BUT18F BUT18AF |
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