STM32C011D4U6 datasheet(42/94 Pages) STMICROELECTRONICS

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Table 27. Current consumption in Run mode from flash memory at different die temperatures

Symbol

Parameter

Conditions

Typ

Max(1)

1. Evaluated by characterization – Not tested in production.

Unit

General(2)

2. VDD = 3.0 V for values in Typ columns and 3.6 V for values in Max columns, all peripherals disabled.

fHCLK

Fetch

from(3)

3. Prefetch and cache enabled when fetching from flash memory.

°C

105

°C

125

°C

105

°C

125

°C

IDD(Run)

Supply

current in

Run mode

fHCLK = fHSE_bypass

( > 32.768 kHz),

fHCLK = fLSE_bypass

( = 32.768 kHz)

48 MHz

Flash

memory

3.05

3.15

3.25

3.35

3.60

3.80

4.10

4.60

32 MHz

2.10

2.15

2.25

2.35

2.50

2.70

3.00

3.50

24 MHz

1.80

1.85

1.90

2.05

2.10

2.40

2.70

3.20

16 MHz

1.25

1.30

1.35

1.45

1.50

1.70

2.00

2.50

8 MHz

0.655 0.710 0.765 0.865 0.790 1.10

1.40

1.90

4 MHz

0.3654 0.420 0.470 0.570 0.460 0.700 0.980

1.50

2 MHz

0.225 0.270 0.325 0.425 0.290 0.540 0.820

1.40

1 MHz

0.150 0.200 0.250 0.350 0.200 0.450 0.730

1.30

500 kHz

0.115

0.160 0.215 0.315 0.160 0.410 0.690

1.20

125 kHz

0.0875 0.135 0.185 0.285 0.130 0.380 0.650

1.20

32.768 kHz

0.082 0.130 0.180 0.280 0.120 0.370 0.650

1.20

fHCLK = fHSI48/HSIDIV

( > 32 kHz),

fHCLK = fLSI

( = 32 kHz)

48 MHz

3.40

3.50

3.55

3.60

3.90

4.10

4.40

4.90

24 MHz

2.25

2.30

2.35

2.45

2.60

2.80

3.10

3.60

12 MHz

1.45

1.50

1.55

1.65

1.70

1.90

2.20

2.70

6 MHz

1.05

1.10

1.15

1.20

1.40

1.70

2.20

3 MHz

0.855 0.880 0.925

1.00

0.960 1.20

1.50

2.00

1.5 MHz

0.750 0.780 0.825 0.915 0.840 1.10

1.40

1.90

750 kHz

0.700 0.730 0.775 0.865 0.780 1.00

1.30

1.80

375 kHz

0.675 0.705 0.750 0.840 0.760 0.970

1.30

1.80

32 kHz

0.082 0.130 0.180 0.280 0.120 0.370 0.650

1.20

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