BUT18F datasheet(7/12 Pages) PHILIPS

部品番号	BUT18F

部品情報	Silicon diffused power transistors

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メーカー	PHILIPS [NXP Semiconductors]

ホームページ	http://www.nxp.com

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7 / 12 page

1999 Jun 11

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Silicon diffused power transistors

BUT18F; BUT18AF

Fig.8

Base-emitter saturation voltage as a

function of base current.

Tj =25 °C.

(1) IC =4A.

(2) IC =2A.

(3) IC =1A.

handbook, halfpage

1.5

0.5

10−2

10−1

110

MGB880

VBEsat

(V)

IB (A)

(1)

(3)

(2)

Fig.9 DC current gain; typical values.

VCE = 5 V; Tj =25 °C.

handbook, halfpage

MBC097

102

10−2

10−1

110

102

IC (A)

hFE

VCE = 5 V

Fig.10 Test circuit resistive load.

VCC = 250 V; tp =20 µs; VIM = −6 to +8 V; tp/T = 0.01.

The values of RB and RL are selected in accordance with ICon and

IBon requirements.

handbook, halfpage

MGE244

VCC

D.U.T.

VIM

Fig.11 Switching times waveforms with

resistive load.

tr ≤ 20 ns.

handbook, halfpage

MBB731

90%

10%

90%

10%

IB on

IB off

IC on

tr ≤30 ns

ton

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