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BUT18F データシート(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors |
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BUT18F データシート(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors |
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8 / 12 page ![]() 1999 Jun 11 8 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUT18F; BUT18AF Fig.12 Test circuit inductive load. VCL = 300 V; VCC = 30 V; VBE = −5 V; LB =1 µH; LC = 200 µH. handbook, halfpage MGE246 +IB −VBE LB LC VCC D.U.T. VCL Fig.13 Switching time waveforms with inductive load. handbook, halfpage MGE238 tr 90% 10% IB IB on −IB off IC on 90% 10% IC t t ts toff tf |
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