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SPC58EE80C3 データシート(PDF) 53 Page - STMicroelectronics |
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SPC58EE80C3 データシート(HTML) 53 Page - STMicroelectronics |
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53 / 154 page  DS11646 Rev 4 53/154 SPC58EEx, SPC58NEx Electrical characteristics 66 TUE12 CC T Total unadjusted error in 12-bit configuration(7) TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V, VDD_HV_ADR_S >3V –4 4 LSB (12b) P TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V, VDD_HV_ADR_S >3V –6 6 T TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V, 3V>VDD_HV_ADR_S >2V –6 6 T TJ < 165 °C, VDD_HV_ADV >3 V, VDD_HV_ADR_S >3V –9 9 T TJ <165 °C, VDD_HV_ADV >3 V, 3V>VDD_HV_ADR_S >2V –11 11 D High frequency mode, TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V, VDD_HV_ADR_S >3V –12 12 TUE10 CC D Total unadjusted error in 10-bit configuration(7) Mode 1, TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V VDD_HV_ADR_S >3V –1.5 1.5 LSB (10b) D Mode 1, TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V, 3V>VDD_HV_ADR_S >2V –2.0 2.0 D Mode 1, TJ <165 °C, VDD_HV_ADV >3 V, VDD_HV_ADR_S >3V –2.5 2.5 D Mode 1, TJ <165 °C, VDD_HV_ADV >3 V, 3V>VDD_HV_ADR_S >2V –3.5 3.5 C Mode 2, TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V VDD_HV_ADR_S >3V –3.0 3.0 C Mode 3, TJ <150 °C, VDD_HV_ADV >3 V VDD_HV_ADR_S >3V –4.0 4.0 Table 27. SARn ADC electrical specification (continued) Symbol C Parameter Conditions Value Unit Min Max |
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